Монокристаллы сапфира, пьезоэлектрические монокристаллы, выращенные из раствора в расплаве. Технология выращивания монокристаллов сапфира   Раздел ЭЛЕКТРОНИКА. РАДИОТЕХНИКА Отрасль промышленности Прочие материалы для радиоэлектроники Ювелирное производство Программа Алмазы Область применения Ювелирная, оптическая, электротехническая и обрабатывающая промышленность. Перспективны для использования в качестве электромеханических преобразователей в широком частотном диапазоне, для создания нового поколения медицинских приборов УЗИ, электрооптических приборов и устройств связи, а также ультразвукового отображения. Описание Монокристаллы сапфира, выращенные из раствора в расплаве на затравках и в температурном градиенте, по морфологическим особенностям и характеристикам цвета наиболее приближаются к природным камням: • твердость по шкале Мооса — 9,0; • плотность — 4,01±0,01 г/см3; • средний показатель преломления 1.764±0,004; • диапазон прозрачности в ультрафиолетовой области до 290 нм. Характеристики пьезоэлектрических монокристаллов: • диэлектрическая проницаемость при комнатной температуре не менее 100. • пьезоэлектрический модуль при комнатной температуре не менее 10" Кл/Н. Научно-технический уровень Выращенные из раствора-расплава монокристаллы сапфира и пьезоэлектрические монокристаллы не имеют отечественных аналогов. Соответствуют кристаллам, выращенным в ведущих научных центрах Японии (Toshiba Research Center), США (Pennsylvania State University) и Китая (Shanghai Institute of Ceramics). Продукция экспортоориентированная и импортозамещающая. Подана заявка на патент. Степень готовности Выпущены и прошли испытания опытные партии монокристаллов и пьезомонокристаллов. Введен в эксплуатацию участок мелкосерийного выращивания монокристаллов сапфира и пьезомонокристаллов. Ожидаемый результат Разработанные техпроцессы и оборудование позволяют выращивать монокристаллы сапфира общим весом до 1000 карат в год в едином цикле шести установок, пьезомонокристаллы до 160 шт. в год в едином цикле трех установок. Импортозамещение. Форма реализации Требуемый объём инвестиций: 500 тыс. долл. при необходимости увеличения объёма производства в 2—4 раза. Срок окупаемости проекта: 5 лет. Экспорт. Продажа технологии, готовой продукции, лицензий.	Организация разработчик ГНУ «Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси» Адрес: 220072, г. Минск, ул. П. Бровки, 17 Тел.: (+375 17) 284-13-13 Факс: (+375 17) 284-09-41 E-mail: olekhov@ifttp.bas-net.by WWW: http:ifttp.bas-net.by Директор: Олехнович Николай Михайлович
Разработка сайта: Adashkevich@tut.by © Государственный комитет по науке и технологиям Республики Беларусь, 2006 г.