Технологический процесс модификации поверхности полупроводниковых структур Раздел ЗАЩИТНЫЕ ПОКРЫТИЯ Отрасль промышленности Полупроводниковые материалы Программа Защита поверхностей Область применения Микроэлектроника. Описание Технология модификации поверхности полупроводниковых структур с использованием импульсного магнитного поля предназначена для улучшения электрофизических и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов. Технология реализована на установке магнитоимпульсной обработки МИУ-30. • Энергия импульса до 30 кДж, • длительности импульса — 50— 00 мкс; • производительность — 360 шт/ч; • потребляемая мощность — 3 кВт/ч; • переходное сопротивление контактов — 2-10в-2 Ом/конт; • плотность электрически активных дефектов в диэлектрике 5на10в4 м2. Научно-технический уровень Превышает показатели лучших мировых аналогов по производительности, степени модификации поверхности (уменьшение плотности дефектов и снижение переходного сопротивления контактов), позволяет сократить технологический цикл изготовления полупроводниковых приборов. Новизна разработки подтверждается патентами: Степень готовности Разработанная технология реализована. Ожидаемый результат Технологический процесс позволяет улучшить электрофизические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов в 2 раза снижает дефектность полупроводниковых структур, уменьшает в 1,5 раза переходное сопротивление контактов в тонкопленочных структурах, снижает удельное сопротивление тонких металлизированных покрытий. Сокращение технологического цикла на 2 операции позволило снизить энергетические и трудовые затраты. Форма реализации Срок окупаемости проекта: 3 года. Разработчик готов предать технологическую документацию на договорной основе и оказать помощь в освоении технологии.	Организация разработчик   ГНУ «Физико-технический институт НАН Беларуси» (ФТИ НАНБ) Адрес: 220141, г. Минск, Купревича, 10 Тел.: (+375 17) 263-59-09 Факс: (+375 17) 263-76-93 E-mail: phti@ns.igs.ac.by WWW: http://phti.at.tut.by/ Директор: Гордиенко Анатолий Илларионович
Разработка сайта: Adashkevich@tut.by © Государственный комитет по науке и технологиям Республики Беларусь, 2006 г.