Материал может быть использован в качестве подложек гибридных интегральных микросхем, в качестве держателя СВЧ транзисторов взамен высокотоксичной керамики на основе окиси бериллия и для изготовления оснований резисторов.
Описание
Способ его получения высокопроизводителен и исключает необ-ходимость использования связующих, а также добавок, активи-рующих процесс спекания. Это обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида алюминия, в 4-6 раз выше, чем у известных материалов из оксида алюминия. В отличие от оксида бериллия он нетоксичен, обладает низкой стоимостью. Способ получения материала защищен авторскими свидетельствами и патентами. Материал может быть изготовлен в виде пластин диаметром 10-26 мм и толщиной 1-5 мм. Технические характеристики: • теплопроводность, - 185 Вт / (м.К); • диэлектрическая проницаемость - 8-12; • уд. электр. сопротивление, - 1013 Ом.см; • плотность, - 3.25 г/см3; • микротвердость, - 16.5-18 ГПа; • твердость по Виккерсу, - 14 ГПа.
Научно-технический уровень
Соответствует аналогам.
Степень готовности
Освоение производства.
Ожидаемый результат
Способ его получения высокопроизводителен и исключает необходимость использования связующих и добавок, активирующих процесс спекания. Это обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида алюминия.